Компания Renesas Electronics представила свою первую линейку низковольтных силовых полупроводников на основе нитрида галлия (GaN). Новые дискретные транзисторы 100V E-mode предназначены для использования в дата-центрах ИИ, робототехнике, промышленной автоматизации и приводах двигателей.
В серию вошли четыре модели: RTP100E005G1FL, RTP100E2P6G1FL, RTP100E1P8G1FL-DSC и RTP100E1P2G1FL-DSC. Устройства демонстрируют улучшенные показатели добротности (FOM): снижение до 35% при жестком переключении и до 63% при мягком переключении по сравнению с аналогичными GaN-компонентами.
Корпуса новых транзисторов совместимы со стандартными MOSFET, что позволяет внедрять их в текущие проекты без значительной переработки печатных плат. По сравнению с кремниевыми аналогами, эффективность изделий выросла на 1–3%, а потери при переключении сократились на 40–70% при полном устранении потерь Qrr.
Данный релиз стал первым выходом Renesas в сегмент низковольтных GaN-решений. Ранее компания развивала направление GaN на базе технологий Transphorm, приобретение которой было завершено 20 июня 2024 года, и выпускала высоковольтные 650V транзисторы для серверных систем и зарядных станций.
