Ученые из Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН разработали технологию создания радиационно стойких чипов флеш-памяти для космической техники. Решение основано на применении диэлектрических пленок с дефектами-ловушками, которые удерживают электроны для хранения данных.
Специалисты запатентовали устройства на основе таких пленок и перешли к использованию оксидов алюминия и циркония с высокой диэлектрической проницаемостью. Это позволило увеличить срок хранения информации, снизить энергопотребление при перезаписи и повысить устойчивость к ионизирующему излучению.
Разработка предназначена для орбитальных дата-центров, межпланетных кораблей и систем с ядерными двигателями. Хранение и обработка данных непосредственно в космосе позволят снизить нагрузку на каналы связи при передаче больших объемов информации на Землю.
В институте также ведутся исследования носителей на иных физических принципах, включая смещение атомов для изменения сопротивления или поляризации. Такие устройства потенциально способны работать в миллионы раз быстрее современных аналогов и выдерживать триллионы циклов перезаписи.
Для серийного выпуска технологии требуются инвестиции в модернизацию фабрик, литографическое оборудование для норм 65 нм и ниже, а также обеспечение поставок сверхчистых материалов. Успех проекта зависит от государственной поддержки и готовности производителей перевести научные результаты в продукт.
