Компания Navitas Semiconductor сотрудничает с Nvidia для создания решений по электропитанию для архитектур 800 В постоянного тока в центрах обработки данных ИИ. Партнерство, анонсированное 21 мая 2025 года, использует технологии нитрида галлия GaNFast и карбида кремния GeneSiC для поддержки мощности свыше 1 МВт.
Ключевой разработкой стала плата преобразования 800 В в 6 В, исключающая промежуточные этапы, необходимые в системах на 48 В и 50 В. Устройство содержит 16 транзисторов GaNFast на 650 В и нацелено на достижение пикового КПД от 96,5% до 97,5% при частоте переключения 1 МГц.
Решение интегрируется в экосистему Nvidia MGX, включая стойки Kyber и графические процессоры Rubin Ultra. Плата тоньше смартфона примерно на 20%, а переход на архитектуру 800 В позволяет уменьшить толщину проводки и потребность в меди на 45%.
Navitas представила плату на выставке COMPUTEX, прошедшей со 2 по 5 июня 2026 года. 5 октября 2026 года компания совместно с Microchip выпустила эталонный проект для производителей оборудования. После объявлений о сотрудничестве акции Navitas демонстрировали внутридневной рост до 20%.
