Компания Micron Technology анонсировала следующее поколение флеш-памяти G11, пропустив индекс G10. Новая архитектура 3D NAND насчитывает более 400 слоев, что как минимум на 45% превышает показатели текущего поколения G9, используемого в SSD Crucial P510.
Увеличение емкости достигнуто за счет нового техпроцесса и сокращения шага ячеек, что позволило удвоить битовую плотность по сравнению с G9. По предварительным оценкам, показатель плотности может составить около 42 гигабит на квадратный миллиметр.
Micron внедряет технологию соединения пластин wafer-on-wafer, при которой массив ячеек и логика ввода-вывода производятся отдельно, а затем объединяются. Ранее аналогичные решения уже применяли Samsung, Kioxia, SanDisk и YMTC.
Скорость передачи данных между контроллером и памятью вырастет на 50% — с 3,6 гигабит в секунду до 5,4 гигабит в секунду. При этом энергопотребление на передачу одного бита сократится более чем на 25%.
Массовое производство чипов памяти поколения G11 запланировано на вторую половину 2027 года.
