Компания Micron представила технологию 3D NAND поколения G11. Она использует метод wafer-on-wafer bonding, позволяющий раздельно производить массивы памяти и периферийную логику на разных пластинах с последующим их соединением.
Новинка обеспечит удвоение плотности записи по сравнению с текущим поколением G9, достигая показателя 42 Gb/mm2. Скорость интерфейса вырастет на 50% и составит 5 400 MT/s, а энергопотребление при передаче данных снизится более чем на 25%.
В архитектуре G11 будет задействовано более 400 слоев. Решение предназначено для использования в SSD высокой емкости и устройствах для работы с искусственным интеллектом, требующих высокой пропускной способности.
Массовое производство памяти G11 начнется во второй половине следующего года. Более подробные технические характеристики Micron планирует раскрыть в 2027 году.
