Компания Micron представила первый в мире серверный модуль памяти DDR5 объемом 512 ГБ. Устройство поддерживает скорость передачи данных до 9200 МТ/с. Использование таких модулей позволяет двухпроцессорным серверам с 24 слотами достичь общего объема оперативной памяти до 12 ТБ. Массовое производство новинки запланировано на вторую половину 2027 года.
Для достижения такой плотности Micron применила технологию вертикальной компоновки кристаллов DRAM с использованием сквозных кремниевых соединений. Модуль потребляет около 16 Вт энергии. По данным производителя, это более чем на 60% эффективнее, чем использование четырех модулей по 128 ГБ для достижения аналогичного суммарного объема в 512 ГБ.
Память предназначена для обучения ИИ, работы баз данных и виртуализации. В задачах машинного обучения производительность может вырасти до 1,4 раза. В настоящее время AMD и Intel проводят проверку совместимости новых модулей со своими серверными платформами для обеспечения стабильной работы и максимальной эффективности в будущих системах.
Эксперты отмечают переход серверной архитектуры от увеличения количества слотов к использованию модулей сверхвысокой плотности. Ожидается, что по мере роста масштабов ИИ-моделей такие решения станут стандартным компонентом для дата-центров, позволяя справляться с растущими требованиями к обработке данных и снижать задержки при доступе к информации.
