Компания Micron официально отказалась от разработки архитектуры памяти 4F² DRAM после двух десятилетий исследований. В компании пришли к выводу, что данная технология не дает существенного прироста плотности по сравнению со стандартом 6F², но при этом значительно усложняет производство и увеличивает затраты.
Технический директор Micron Скотт ДеБур пояснил, что плотность памяти определяется шагом и размерами конденсаторов, а не площадью транзисторов. По мнению Micron, архитектура 4F² имеет фундаментальные ограничения масштабирования, что делает ее менее выгодной по сравнению с дальнейшим совершенствованием текущих 6F²-процессов.
Вместо перехода на 4F² Micron сосредоточится на масштабировании 6F² DRAM с использованием передовой литографии, новых материалов и технологий соединения пластин. Техпроцесс 1δ должен выйти в серийное производство во второй половине 2027 года и обеспечить прирост плотности бит примерно на 20 с лишним процентов.
В то время как Samsung и SK hynix сохраняют 4F² в своих планах развития, Micron делает ставку на 3D DRAM. Компания уже ведет разработку нескольких поколений 3D-памяти, где увеличение плотности достигается за счет вертикальной компоновки ячеек, что рассматривается как более эффективная долгосрочная стратегия.
