Компания Micron официально отказалась от разработки DRAM-памяти с архитектурой 4F², на которую потратила около двадцати лет исследований. Решение озвучил президент и технический директор компании Скотт ДеБур во время вебинара 21 октября. Несмотря на возможность уменьшить площадь ячейки памяти на треть по сравнению с текущим стандартом 6F², в Micron сочли преимущество в плотности размещения «мифом» из-за ограничений при компоновке конденсаторов.
По словам представителей Micron, технология 4F² отличается высокой сложностью производства и себестоимостью, а также сталкивается с проблемами масштабирования на передовых узлах. Вместо этого компания продолжит развивать архитектуру 6F². Производство на узле 1-delta планируют запустить в Бойсе, штат Айдахо, во второй половине 2027 года, а последующий узел 1-epsilon будет использовать технологию соединения пластин.
Параллельно Micron ведет разработки в области 3D DRAM, однако конкретных сроков выхода на рынок пока нет — компания перейдет на этот тип памяти только при достижении экономической эффективности. Такая стратегия расходится с планами конкурентов: Samsung и SK hynix продолжают работу над 4F², а китайская CXMT намерена выпустить первый серверный продукт DDR5 RDIMM на базе 4F² до конца текущего года.
Данное решение принято на фоне прогнозов Micron о возможном дефиците памяти в 2027 и 2028 годах. Отказ от 4F² является рискованным шагом, так как успех конкурентов в снижении стоимости производства такой памяти может поставить компанию в невыгодное положение на рынке.
