Ученые Университета Лобачевского запатентовали технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния. Разработка предназначена для создания полировальных суспензий, необходимых при производстве современных полупроводников.
Проект реализуется с 2024 года в рамках федеральной программы «Приоритет-2030». К октябрю 2026 года исследователи подготовили технологическую линию и регламент получения продукта, а также передали суспензию на апробацию индустриальному партнеру.
Технология позволяет получать частицы с заданными параметрами формы и размера, обеспечивая высокую однородность материала. Эти характеристики критически важны для химико-механической полировки пластин и качества конечных микросхем.
Сейчас основное внимание уделяется подтверждению стабильности процесса при масштабировании. Разработка направлена на создание отечественной компонентной базы и снижение зависимости российской микроэлектроники от зарубежных поставок.
