Компания Lam Research представила архитектуру самосовмещенных комплементарных полевых транзисторов (SA-CFET), предназначенную для техпроцессов 10 Å (1 нм) и меньше. Решение призвано преодолеть ограничения традиционных GAA-транзисторов, включая токи утечки, снижение подвижности носителей заряда и сложности при производстве.
В основе SA-CFET лежат три модуля самосовмещения: SA-BPR (погребенные шины питания), SA-CT (контакты) и SA-TSV (сквозные кремниевые переходы). Архитектура использует изоляцию MDI и дизайн без разрезания металлических затворов, сохраняя совместимость со стандартами N3, включая шаг затворов 42 нм и шаг металлизации 21 нм.
С помощью моделирования в системе Semiverse Solutions компания подтвердила возможность создания ячеек 6T SRAM и логических элементов NOT, NAND, NOR. Площадь ячейки 6T SRAM составила 0,0094 мкм², что на 52,7% меньше показателей N3 и на 19% меньше, чем у дизайна A7 CFET.
Моделирование показало, что критические слои контактов имеют окно совмещения не менее 10 нм, при этом в симуляциях не зафиксировано коротких замыканий или обрывов. В компании подчеркивают, что данные получены в ходе цифрового моделирования и технология пока не перешла на стадию серийного производства.
