Стартап Kepler Computing, основанный в 2018 году, разработал архитектуру памяти HBM и метод 3D-компоновки, позволяющие повысить плотность чипов без использования дорогостоящей EUV-литографии. Технология базируется на применении запатентованного композитного материала и может быть внедрена на уже существующих полупроводниковых предприятиях.
Компания привлекла $468 млн инвестиций от Intel Capital, AMD Ventures и GlobalFoundries. Минторг США выделил грант до $245 млн на разработку памяти для ИИ-систем. Производственный партнер GlobalFoundries вложил в проект $50 млн. Испытания проводятся на мощностях в Сингапуре и американском Вермонте.
Использование сегнетоэлектриков и новых композитов позволяет достичь плотности SRAM, сопоставимой с техпроцессами 2–3 нм. Переоборудование фабрики для нужд проекта заняло восемь месяцев вместо стандартных двух лет. В Kepler отмечают, что затраты на адаптацию существующих линий значительно ниже $20–40 млрд, необходимых для строительства новых заводов.
Технология проходит стадию тестирования: на данный момент обработано 2000 пластин. Первые образцы HBM ожидаются в текущем году, наращивание производства в Сингапуре запланировано на 2027 год, а запуск выпуска в США возможен в 2028 году. Основной сложностью остается риск загрязнения производственных линий железом, входящим в состав композита.
