Компания Hangzhou Jiare Semiconductor объявила о достижении в области выращивания кристаллов оксида галлия. Разработчикам удалось впервые в мире получить 12-дюймовый кристалл с постоянным диаметром, используя собственное оборудование серии SCIENCE с методом VB.
Постоянный диаметр является ключевым этапом для промышленного производства. Такая форма позволяет создавать стабильные слитки, пригодные для прямой нарезки на подложки. Увеличение толщины слитка повышает количество годных пластин, что снижает себестоимость каждой отдельной подложки.
Новые 12-дюймовые подложки совместимы с существующими кремниевыми производственными линиями. Это позволяет производителям сократить затраты на переоборудование и инвестиции в новые мощности, а также ускорить циклы разработки конечных изделий.
Оборудование серии SCIENCE обладает точностью контроля температуры на уровне плюс-минус 0,1 градуса Цельсия. Комплексный подход, объединяющий аппаратную часть и технологические пакеты, позволил компании масштабировать производство кристаллов с 2 до 12 дюймов.
Ранее, в марте текущего года, Jiare Semiconductor провела успешный эксперимент по гомоэпитаксиальному выращиванию 8-дюймовых кристаллов оксида галлия. Достигнутые результаты прошли официальную сертификацию в независимых экспертных организациях.
