Ученые ИФП СО РАН представили исследование сверхтонких пленок диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) на основе диоксида гафния. Разработка направлена на создание полупроводниковых устройств с пониженным энергопотреблением и напряжением питания.
Пленки выращивают методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения. Затем их переносят на кремниевую подложку, формируя структуру, где слой диэлектрика изолирован кремнием с обеих сторон. Это позволяет создавать двухзатворные транзисторы с регулируемым порогом срабатывания.
Материал обладает сегнетоэлектрическими свойствами, что дает возможность использовать его в ячейках энергонезависимой памяти. Потенциально такие структуры могут быть долговечнее флэш-памяти, ресурс которой составляет около 10 000 циклов записи. Также транзисторы перспективны для мобильной связи.
Исследование носит фундаментальный характер и проводится при поддержке Российского научного фонда (грант № 25-19-20049) и правительства Новосибирской области (грант № 30-2025-000924).
