Компания Infineon Technologies планирует инвестировать €1,1 миллиарда в производственную площадку в Филлахе, Австрия, до 2034 года. Проект предполагает запуск первого в мире серийного производства силовых полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) на 300-миллиметровых пластинах, старт которого намечен на 2027 год.
В 2024 году компания успешно перевела производство GaN-полупроводников с 200-миллиметровых на 300-миллиметровые пластины, что увеличило объем выпуска в 2,3 раза. Модернизация существующих чистых помещений позволит эффективно нарастить мощности для удовлетворения спроса на энергоэффективные компоненты, используемые в электромобилях, центрах обработки данных ИИ и возобновляемой энергетике.
Проект получил поддержку в рамках закона European Chips Act: Еврокомиссия уже одобрила предоставление государственной помощи в размере €319 миллионов. По прогнозам аналитиков, рынок силовых GaN-полупроводников будет расти на 35 процентов ежегодно в период с 2025 по 2031 год, достигнув к концу этого срока объема около $3,5 миллиарда.
В австрийском подразделении Infineon работают 5800 человек, из них 4800 заняты на заводе в Филлахе. Власти Австрии назвали это вложение одной из крупнейших инвестиций в высокотехнологичный сектор страны, подчеркнув важность укрепления европейского технологического суверенитета и развития микроэлектроники на территории Европы.
