Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) создал работающие транзисторы с кольцевым затвором (GAA) на основе многослойных нанолистов. Исследователи применили DUV-литографию, чтобы изучить возможность создания полупроводников 3-нм класса без использования EUV-оборудования.
В ходе экспериментов получены показатели соотношения токов Ion/Ioff на уровне 9,7×10⁵ и 7,6×10⁵, что выше порога в 5×10⁵. Эти данные подтверждают работоспособность управления затвором в многослойных структурах, позволяя транзисторам переключаться между проводящим и непроводящим состояниями.
Институт не раскрыл ключевые геометрические параметры, включая шаг затвора, шаг металлизации и плотность транзисторов. Текущий результат является лишь этапом ранней интеграции процесса, а не готовой технологией производства, требующей сложной настройки травления, осаждения и метрологии.
Разработка GAA-технологий ведется в IMECAS с 2020 года в рамках стратегии по снижению зависимости от западных инструментов и ПО. Проект сфокусирован на архитектурных инновациях и оптимизации существующих производственных процессов для развития полупроводниковой отрасли Китая.
