Южнокорейская литейная компания DB HiTek завершила квалификацию надежности техпроцесса для 1200-вольтовых карбид-кремниевых MOSFET на 8-дюймовых пластинах. Разработчик заявляет, что создал первый в мире полный цикл производства SiC-компонентов на 8-дюймовых подложках.
Клиентам уже доступны наборы для проектирования PDK первого и второго поколений, а выпуск третьего поколения запланирован на ноябрь 2026 года. По оценкам компании, использование этих инструментов сократит цикл разработки продукции более чем на год за счет ускорения создания прототипов.
Техпроцесс второго поколения обеспечивает удельное сопротивление в открытом состоянии 2,5 мОм·см² или менее при пороговом напряжении от 3 В. Для третьего поколения целевые показатели составляют 2,3 мОм·см² или менее при времени выдержки короткого замыкания не менее 2,5 мкс.
Доступ к сервису для текущих клиентов откроется в третьем квартале 2026 года, а для всех остальных заказчиков — во втором квартале 2027 года. Компания готовится к запуску серийного производства, которое намечено на 2027 год, для повышения эффективности выпуска полупроводников.
