Китайский производитель CXMT приступил к пробному выпуску памяти HBM3E, но столкнулся с низким выходом годных изделий. Текущий показатель составляет не более 25%, что значительно ниже «золотого стандарта» индустрии в 80% для запуска массового производства. Для сравнения, компания SK hynix добилась выхода годных изделий на уровне 90%.
Основной причиной проблем с выходом годных изделий называют трудности с освоением технологии сквозных вертикальных межсоединений (TSV). При восьмислойной компоновке HBM3E выход годных изделий на этапе фронтенда составляет около 30%, а на этапе бэкенда — лишь 70% от прошедших первый этап. В итоге почти 80% продукции проходит финальное тестирование.
CXMT использует около 3000 соединений TSV на кристалл, в то время как как SK hynix в HBM3 имеет более 8000, а Samsung в HBM2 — более 5000. Чтобы упростить производство, CXMT снизила этот показатель, что привело к сокращению пропускной способности памяти.
Компания поставляет небольшие партии образцов HBM3E китайским компаниям, including T-Head (входит в Alibaba) и Cambricon. Несмотря на что CXMT выпускает стандартную DRAM-память по техпроцессу G4 (класс 17 нм), кристаллы для HBM требуют более высокой площади поверхности и более строгих технических характеристик, что усложняет контроль качества.
Сложности возникают и на этапе финишной обработки (бэкенда), что включает механическоеческое расположение кристаллов друг над другом и их соединение. Смещение кристаллов или появление микроскопических пузырьков воздуха при термокомпрессии приводит к браку всей многослойной конструкции. По мнению экспертов, стабилизация технологии TSV требует многолетнего опыта.
