Китайская компания CXMT представила пятое поколение технологии производства оперативной памяти, получившее название G5. В процессе применяется литография с четырехкратным экспонированием, что позволило достичь полушага активной области в 11,95 нм. Также внедрена технология HKMG, уменьшающая высоту массива ячеек до 6 762 нм.
Новая технология позволяет создавать конденсаторы с соотношением глубины к ширине около 45:1. Это решение уменьшает площадь ячейки памяти и увеличивает количество массивов на одной пластине. По заявлению CXMT, выход годных кристаллов с одной пластины при использовании G5 увеличился как минимум на 50% по сравнению с предыдущим поколением G4.
Первыми устройствами, выпущенными по техпроцессу G5, стали чипы LPDDR5X объемом 24 Гбит. Они обладают на 50% большей емкостью по сравнению с предыдущими аналогами компании и уже поставляются для флагманских смартфонов на китайском рынке. Чипы доступны в двух вариантах корпусировки для различных мобильных устройств.
Компания не раскрыла данные о фактическом уровне выхода годных кристаллов и себестоимости производства. Показатель 11,95 нм характеризует полушаг активной области, а не стандартный узел техпроцесса, поэтому прямое сравнение с решениями Micron, Samsung или SK hynix затруднено. Технологические параметры, такие как плотность и энергопотребление, остаются непубличными.
