Китайский производитель памяти CXMT официально запустил серийное производство на базе пятого поколения DRAM-платформы. Это достижение сокращает технологический разрыв между компанией и мировыми лидерами рынка, такими как Samsung, SK Hynix и Micron.
Новая платформа использует технологию с шагом ключевых структур 11,95 нанометра, реализованную с помощью метода четырехкратного экспонирования. Повышение плотности интеграции позволило увеличить теоретический выход годных чипов с одной кремниевой пластины на 50% по сравнению с четвертым поколением.
Вместе с запуском платформы компания представила два вида мобильных чипов памяти 24Gb LPDDR5X. Емкость новых изделий выросла на 50% относительно предыдущих аналогов. Чипы предназначены для использования в смартфонах, планшетах и других портативных устройствах.
На конференции 2026 World Manufacturing Convention в Хэфэе представители CXMT заявили, что технологические возможности компании достигли уровня ведущих мировых платформ. В процессе разработки активно применялось компьютерное моделирование и велась совместная работа с локальными поставщиками оборудования.
Данный проект направлен на создание независимой цепочки поставок и снижение зависимости от зарубежных технологий. На фоне растущего спроса на высокопроизводительную память со стороны ИИ-индустрии, CXMT планирует усилить конкуренцию с глобальными игроками рынка.
