Китайская компания CXMT планирует до конца 2026 года начать выпуск оперативной памяти DDR5 в формате RDIMM с использованием архитектуры ячеек 4F2. Переход на этот стандарт позволит увеличить плотность размещения элементов на кристалле по сравнению с традиционной архитектурой 6F2.
Ускоренное внедрение 4F2 является вынужденной мерой из-за санкций США, ограничивающих доступ CXMT к передовому литографическому оборудованию. В отличие от конкурентов, компания лишена возможности применять более простые методы наращивания плотности памяти.
Крупнейшие производители, Samsung и SK hynix, также ведут разработки в области 4F2, однако не торопятся с массовым внедрением. Южнокорейские компании используют оборудование ASML, включая системы с высокой числовой апертурой, что дает им больше гибкости в производстве.
Переход на архитектуру 4F2 и 3D DRAM ставит перед производителями задачу эффективного отвода тепла. Для CXMT основной сложностью остается организация массового выпуска продукции с учетом этих технических ограничений.
