Исследователи из Нинбоского университета, Восточного технологического университета Нинбо и Нинбоского института материаловедения и инженерии Китайской академии наук разработали метод управления движением атомных слоев в скользящих сегнетоэлектриках. Для контроля траектории ученые применяют одноосную деформацию материала.
В работе использован двухслойный нитрид бора. Исследователи объединили квантовые расчеты с молекулярно-динамическим моделированием на базе искусственного интеллекта. Под воздействием электрического поля слои переключаются из конфигурации BA в AB, что меняет электрическую поляризацию материала.
Согласно результатам моделирования, процесс переключения поляризации занимает около 1,7 пикосекунды. Этот показатель в три-четыре раза превышает скорость работы традиционных сегнетоэлектрических материалов, что открывает возможности для создания сверхбыстрой памяти с низким энергопотреблением.
