На Всемирной конференции по производству 2026 года в Хэфэе компания Changxin Technology объявила о запуске в серийное производство платформы пятого поколения DRAM (G5). Технология использует метод четверного экспонирования на установках ArF DUV, что позволило сократить полушаг активной области массива памяти до 11,95 нм. Это сопоставимо с уровнем 12-нм техпроцессов Samsung.
Платформа G5 включает новые материалы и техпроцессы, такие как увеличение соотношения сторон конденсатора до 45:1 и использование металлических затворов с высоким диэлектрическим коэффициентом (HKMG). Высота функциональной зоны сокращена до 6762 нм. Выход годных кристаллов с пластины вырос минимум на 50% по сравнению с предыдущим поколением, что улучшает показатели энергоэффективности и себестоимости.
Компания начала массовый выпуск чипов LPDDR5X объемом 24 Гбит в корпусах 496Ball и 245Ball. Также представлена память LPDDR6 с максимальной скоростью передачи данных 12 800 Мбит/с, пропускной способностью на 60% выше, чем у LPDDR5X, и энергопотреблением ниже на 20%. Максимальный объем чипа составляет 16 ГБ.
Память LPDDR6 впервые в мире применена в смартфоне Xiaomi 18 Fold. Кроме того, в продаже появился смартфон Nubia NaviX Ultra, использующий чипы LPDDR5X со скоростью 10 667 Мбит/с. В Changxin подчеркнули, что из-за необходимости отладки техпроцесса G5 продукты на этой платформе пока не вышли на масштабные продажи и не окажут существенного влияния на финансовые показатели в краткосрочной перспективе.
