Компания ChangXin Technology на квартальной отчетной конференции сообщила о запуске серийного производства на базе пятого поколения технологической платформы. В рамках этого процесса компания выпускает LPDDR5X в корпусах 245Ball и 496Ball, обеспечивая прирост выхода годных кристаллов с пластины минимум на 50% по сравнению с четвертым поколением.
Разработчик завершил верификацию инженерных образцов шестого поколения платформы, использующей архитектуру DRAM с вертикальным каналом 4F². Данная архитектура предполагает соединение логических и запоминающих пластин, а также применение фирменных транзисторов с вертикальным затвором VSG, что позволяет продолжать миниатюризацию компонентов.
Первые образцы DDR5 RDIMM на базе архитектуры 4F² компания планирует предоставить заказчикам до конца текущего года. Продукция в первую очередь ориентирована на серверный сегмент. Сроки полномасштабного производства будут зависеть от результатов клиентской проверки и текущей рыночной конъюнктуры.
