Китайская академия наук (CAS) представила архитектуру транзисторов Gate-All-Around (GAA), адаптированную для производства с помощью DUV-литографии. Разработка призвана помочь полупроводниковой отрасли КНР выпускать современные чипы в условиях ограниченного доступа к EUV-сканерам.
Транзисторы GAA приходят на смену архитектуре FinFET. В них затвор окружает канал со всех сторон, что улучшает управление током и снижает утечки при уменьшении размеров элементов. Технология опирается на возможности иммерсионной литографии и многократного формирования рисунка, что увеличивает сложность и стоимость производства.
Разработчики отмечают, что новая архитектура не означает освоение полноценного 3-нанометрового техпроцесса. Она лишь позволяет приблизить характеристики чипов к современным стандартам. Основным препятствием для DUV остается создание микроскопических контактов и металлических соединений между миллиардами элементов на кристалле.
Конструкция позволяет увеличить расстояние между элементами транзистора без потери характеристик, что в перспективе повысит плотность их размещения. Параллельно другие компании, включая Huawei, развивают технологию LogicFolding, которая предполагает вертикальное размещение логических схем для роста вычислительной плотности.
