Железо
Атомарная грунтовка: ученые нашли способ улучшить транзисторы будущего
Исследователи создали буферный слой оксида алюминия толщиной 0,42 нм, который улучшает управление затвором и снижает утечки в транзисторах на основе MoS2.
12 сентября 2026 г., 20:15·IXBT.com
