Железо
Оксид гафния признан перспективным материалом для электроники нового поколения
Ученые из Университета Небраски в Линкольне подтвердили, что оксид гафния сохраняет антиферроэлектрические свойства при толщине 0,6 нанометра и нагреве до 850 градусов Цельсия.
26 сентября 2026 г., 11:42·iXBT
