Советская микроэлектроника 1980-х годов имела ряд технических ограничений для создания энергонезависимой памяти. ПЗУ К155РЕ3 объемом 256 бит программировалось путем пережигания плавких перемычек напряжением от 12,5 В до 14 В. Процесс был ненадежным: коэффициент программируемости составлял 0,3, а попытки записи часто приводили к выходу микросхемы из строя.
Проблемы надежности дополнялись качеством разъемов, которые окислялись и теряли контакт, что приводило к сбоям при считывании данных. Микросхема К573РФ1, появившаяся около 1982 года, имела объем 1 КБ и стиралась ультрафиолетом через кварцевое окно. Несмотря на работоспособность, она была дорогой и требовала длительного процесса стирания (15–30 минут).
Чип КР1601РР1, применявшийся в калькуляторе «Электроника МК-52», имел объем 4 килобита, но требовал сложного питания: +5 В, -12 В и -30 В для программирования. Последнее напряжение подавалось на шину данных, что создавало риск повреждения других компонентов. Гарантийный срок хранения данных составлял от 3000 часов до 5 лет.
Создание накопителя объемом 64 КБ на базе этих микросхем потребовало бы использования 128 чипов. Такая конструкция была бы громоздкой, потребляла десятки ватт и требовала внешних умножителей напряжения. Необходимость строгого соблюдения последовательности подачи питания и хрупкость МНОП-структур делали их использование для массовых решений непрактичным.
