Samsung расширяет мощности своего полупроводникового комплекса в Пхёнтхэке, Южная Корея, чтобы удовлетворить растущий спрос на память для ИИ. Сейчас на площадке работают три завода, готовится запуск четвертого, а строительство пятого возобновилось после остановки в 2024 году.
На заводе P4 компания перепрофилирует линию с NAND на DRAM, используя технологический процесс 1c. Целевой показатель мощности этой линии составляет от 100 000 до 120 000 пластин в месяц к первому кварталу 2027 года. Строительство комплекса P5 ускорилось, при этом инвестиции в каждый завод превышают ₩60 триллионов.
Для борьбы с дефицитом серверной памяти DDR5 Samsung перераспределяет мощности NAND на DRAM на своих предприятиях в Пхёнтхэке и Хвасоне. Премия к цене на серверную память DDR5 достигла 70%. Эти изменения помогли компании получить рекордную квартальную операционную прибыль в третьем квартале 2026 года, превысившую ₩100 триллионов.
Samsung также инвестирует ₩360 триллионов в создание кластера в Йонъине, который будет включать шесть новых заводов. Запуск первого из них запланирован на 2029 год. Инвесторы следят за достижением производственных целей на P4 и динамикой цен на серверную память DDR5 на фоне ввода новых мощностей.
