Ученые из Мичиганского университета и Университета Висконсина разрабатывают транзистор M3 BOLT. Устройство использует магнитные и акустические волны вместо переноса электронов для обработки данных.
Конструкция состоит из слоя сегнетоэлектрика PMN-PT и пленки из сплава железа и галлия. Электрическое поле вызывает деформацию, которая меняет магнитные моменты и создает спиновые волны без движения заряда.
Проект получил финансирование в размере $6 млн от DARPA в рамках программы Fast and Curious. Агентство поставило задачу создать логические схемы, превосходящие CMOS по энергоэффективности в 100 раз.
Разработчики ожидают, что технология повысит скорость вычислений в 100–1000 раз. Материал также может выполнять функции энергонезависимой памяти, сохраняя состояние магнитных моментов без питания.
Проект находится на ранней стадии. Мичиганский университет занимается проектированием, а Университет Висконсина моделирует физические процессы. Практических результатов стоит ждать не ранее середины 2030-х годов.
